Внимание! Работаем только с юридическим лицами
+375 17 515 15 00
+375 17 515 15 00 +375 29 622 99 11 info@korplab.by офис менеджер sales@korplab.by отдел продаж help@korplab.by служба заботы
Юридический адрес:
223053, Республика Беларусь, Минская область, Минский район, Боровлянский с/с, д. Боровляны, ул. 40 лет Победы, д. 27/4, пом. №11
Физический адрес:
223053, Республика Беларусь, Минский район, Боровлянский с/с, район д. Дроздово, 103/3-7, помещение №7-35
Будние:
09:00-18:00
Выходные:
СБ, ВС
Заказать звонок
Написать сообщение
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
Артикул: MZ-V9V1T0BW
Под заказ от 3 дней
946,45 BYN
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)
SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)

SSD диск Samsung 990 Evo 1TB (MZ-V9V1T0BW)

Под заказ от 3 дней
Артикул: MZ-V9V1T0BW
946,45 BYN
946,45 BYN
Гарантия
Доставка
Оплата
Описание
Характеристики
Описание
✅ Ключевые характеристики Современный SSD-накопитель M.2 формата 2280 с объемом 1 ТБ, интерфейсом PCI Express 4.0 x4 и поддержкой NVMe 2.0, обеспечивает высокую производительность для рабочих станций и игровых ПК. Максимальная скорость последовательного чтения достигает 7150 МБ/с, а записи - 6450 МБ/с, что позволяет быстро работать с большими файлами и ускоряет загрузку приложений. ✅ Преимущества и отличия Модель выделяется высокой надежностью с ресурсом записи 400 ТБ и временем наработки на отказ 1 500 000 ч. Накопитель поддерживает аппаратное шифрование AES 256bit, что гарантирует безопасность ваших данных. Благодаря энергоэффективности (максимальное энергопотребление 4.0 Вт при чтении) устройство подходит для систем с ограниченными возможностями охлаждения. ✅ Практичность Отсутствие DRAM-буфера компенсируется технологией Host Memory Buffer, что позволяет добиться хорошей производительности в повседневных задачах. Полная совместимость с современными платформами и поддержка актуальных стандартов NVMe делают накопитель универсальным выбором для различных пользовательских сценариев, включая установку в игровые консоли. ✅ Уникальность Использование фирменной памяти Samsung V-NAND и собственного контроллера обеспечивает стабильную работу и высокую долговечность. Расширенная поддержка функций TRIM, S.M.A.R.T., аппаратного шифрования и энергосбережения позволяет сохранить оптимальную производительность и защищенность данных на протяжении всего срока службы устройства
Характеристики
Основная информация
Назначение
для ноутбука
Тип микросхем Flash
3D QLC NAND
Средняя скорость случайной записи
1100000
Средняя скорость случайного чтения
700000
Время наработки на отказ (МТBF)
1500000
Интерфейс
PCI Express 4.0 x4
Форм-фактор
M.2
Объем памяти
1 ТБ
Дополнительные характеристики
Аппаратное шифрование
Да
Энергопотребление (ожидание)
0.055
Энергопотребление (чтение/запись)
4
Совместимость с PS5
Да
Размеры устройств M.2
2280
Контроллер
Samsung PiccoloQ
Комплектация
Накопитель, документация
Габариты и вес
Вес
9
Толщина
2.38
Длина
2
Ширина
10
Общие характеристики
Наличие товара
Под заказ
Бренд
Samsung
Артикул
MZ-V9V1T0BW
Производитель (страна, завод)
Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон-Си, 443-742, Корея.
Импортер
Печатное оборудование: ООО "ЭлкоТелеком", 220090, г. Минск, тр. ЛОГОЙСКИЙ, дом № 22, корпус А, офис 41
Похожие товары